U wafer hè fattu di siliciu puru (Si). Generalmente divisu in 6-inch, 8-inch, è 12-inch specificazioni, u wafer hè pruduttu basatu annantu à sta wafer. I wafers di siliciu preparati da semiconduttori d'alta purezza attraversu prucessi cum'è u cristallu pulling è slicing sò chjamati wafers beca.usu sò in forma tonda. Diverse strutture di elementi di circuitu ponu esse processate nantu à i wafers di siliciu per diventà prudutti cù proprietà elettriche specifiche. prudutti di circuiti integrati funziunali. I wafers passanu per una seria di prucessi di fabricazione di semiconduttori per furmà strutture di circuiti estremamente chjuchi, è dopu sò tagliati, imballati è testati in chips, chì sò largamente usati in diversi dispositi elettronici. I materiali Wafer anu sperimentatu più di 60 anni di evoluzione tecnologica è di sviluppu industriale, furmendu una situazione industriale duminata da u siliciu è cumplementata da novi materiali semiconductor.
U 80% di i telefunini è l'urdinatori di u mondu sò pruduciuti in Cina. Cina s'appoghja nantu à l'impurtazioni per u 95% di i so chips d'altu rendimentu, cusì a Cina spende 220 miliardi $ US annu per impurtà chips, chì hè duie volte l'importazioni annuali di petroliu di a Cina. Tutti l'equipaggiu è i materiali ligati à e macchine di fotolitografia è a produzzione di chip sò ancu bluccati, cum'è wafers, metalli d'alta purezza, macchine di incisione, etc.
Oghje avemu da parlà brevemente di u principiu di sguassà u lume UV di machini wafer. Quandu scrivite dati, hè necessariu inject charge in a porta flottante appliendu un VPP d'alta tensione à a porta, cum'è mostra in a figura sottu. Siccomu a carica injected ùn hà micca l'energia per penetrà in u muru di l'energia di a film d'ossidu di siliciu, pò solu mantene u statu quo, cusì ci vole à dà a carica una certa quantità di energia! Questu hè quandu u lume ultraviolet hè necessariu.
Quandu a porta flottante riceve l'irradiazione ultravioletta, l'elettroni in a porta flottante ricevenu l'energia di quanta di luce ultravioletta, è l'elettroni diventanu elettroni caldi cù energia per penetrà u muru d'energia di a film d'ossidu di siliciu. Comu mostra in a figura, l'elettroni caldi penetranu in a film d'ossidu di siliciu, flussu à u sustrato è a porta, è tornanu à u statu sguassatu. L'operazione di cancellazione pò esse realizata solu ricevendu l'irradiazione ultravioletta, è ùn pò micca esse sguassata elettronicamente. In altre parolle, u numeru di bit pò esse cambiatu solu da "1" à "0", è in a direzzione opposta. Ùn ci hè altru modu chè sguassà tuttu u cuntenutu di u chip.
Sapemu chì l'energia di a luce hè inversamente proporzionale à a lunghezza d'onda di a luce. Per chì l'elettroni diventenu elettroni caldi è cusì avè l'energia per penetrà in a film d'ossidu, l'irradiazione di a luce cù una lunghezza d'onda più corta, vale à dì, i raghji ultraviolet, hè assai necessariu. Siccomu u tempu di cancellazione dipende da u numeru di fotoni, u tempu di cancellazione ùn pò micca esse scurciatu ancu à lunghezze d'onda più brevi. In generale, a cancellazione inizia quandu a lunghezza d'onda hè di circa 4000A (400nm). Bastamente righjunghji a saturazione intornu à 3000A. Sottu à 3000A, ancu s'è a lunghezza d'onda hè più corta, ùn avarà micca impattu annantu à u tempu di cancellazione.
U standard per l'eliminazione UV hè generalmente di accettà i raghji ultravioletti cù una lunghezza d'onda precisa di 253,7 nm è una intensità di ≥16000 μ W / cm². L'operazione di cancellazione pò esse cumpletata da u tempu di esposizione chì varieghja da 30 minuti à 3 ore.
Tempu di Postu: Dec-22-2023