U wafer hè fattu di siliciu puru (Si).Generalmente divisu in 6-inch, 8-inch, è 12-inch specificazioni, u wafer hè pruduttu basatu annantu à sta wafer.I wafers di siliciu preparati da semiconduttori d'alta purezza attraversu prucessi cum'è u cristallu pulling è slicing sò chjamati wafers beca.usu sò in forma tonda.Diverse strutture di elementi di circuitu ponu esse processate nantu à i wafers di siliciu per diventà prudutti cù proprietà elettriche specifiche.prudutti di circuiti integrati funziunali.I wafers passanu per una seria di prucessi di fabricazione di semiconduttori per furmà strutture di circuiti estremamente chjuchi, è dopu sò tagliati, imballati è testati in chips, chì sò largamente usati in diversi dispositi elettronici.I materiali Wafer anu sperimentatu più di 60 anni di evoluzione tecnologica è di sviluppu industriale, furmendu una situazione industriale duminata da u siliciu è cumplementata da novi materiali semiconductor.
U 80% di i telefunini è l'urdinatori di u mondu sò pruduciuti in Cina.A Cina s'appoghja nantu à l'impurtazioni per u 95% di i so chips d'altu rendiment, cusì a Cina spende 220 miliardi $ US annu per impurtà chips, chì hè duie volte l'importazioni annuali di petroliu di a Cina.Tutti l'equipaggiu è i materiali ligati à e macchine di fotolitografia è a produzzione di chip sò ancu bluccati, cum'è wafers, metalli d'alta purezza, macchine di incisione, etc.
Oghje avemu da parlà brevemente di u principiu di sguassà u lume UV di machini wafer.Quandu scrivite dati, hè necessariu inject charge in a porta flottante appliendu un VPP d'alta tensione à a porta, cum'è mostra in a figura sottu.Siccomu a carica injected ùn hà micca l'energia per penetrà in u muru di l'energia di a film d'ossidu di siliciu, pò mantene solu u statu quo, cusì ci vole à dà a carica una certa quantità di energia!Questu hè quandu u lume ultraviolet hè necessariu.
Quandu a porta flottante riceve l'irradiazione ultravioletta, l'elettroni in a porta flottante ricevenu l'energia di quanta di luce ultravioletta, è l'elettroni diventanu elettroni caldi cù energia per penetrà u muru d'energia di a film d'ossidu di siliciu.Comu mostra in a figura, l'elettroni caldi penetranu in a film d'ossidu di siliciu, flussu à u sustrato è a porta, è tornanu à u statu sguassatu.L'operazione di cancellazione pò esse realizata solu ricevendu l'irradiazione ultravioletta, è ùn pò micca esse sguassata elettronicamente.In altre parolle, u numeru di bit pò esse cambiatu solu da "1" à "0", è in a direzzione opposta.Ùn ci hè altru modu chè sguassà tuttu u cuntenutu di u chip.
Sapemu chì l'energia di a luce hè inversamente proporzionale à a lunghezza d'onda di a luce.Per chì l'elettroni diventenu elettroni caldi è cusì avè l'energia per penetrà in a film d'ossidu, l'irradiazione di a luce cù una lunghezza d'onda più corta, vale à dì, i raghji ultravioletti, hè assai necessariu.Siccomu u tempu di cancellazione dipende da u numeru di fotoni, u tempu di cancellazione ùn pò micca esse scurciatu ancu à lunghezze d'onda più brevi.In generale, a cancellazione inizia quandu a lunghezza d'onda hè di circa 4000A (400nm).Bastamente righjunghji a saturazione intornu à 3000A.Sottu à 3000A, ancu s'è a lunghezza d'onda hè più corta, ùn avarà micca impattu annantu à u tempu di cancellazione.
U standard per l'eliminazione UV hè generalmente di accettà i raghji ultravioletti cù una lunghezza d'onda precisa di 253,7 nm è una intensità di ≥16000 μ W / cm².L'operazione di cancellazione pò esse cumpletata da u tempu di esposizione chì varieghja da 30 minuti à 3 ore.
Tempu di post: Dec-22-2023